50 ถึง 75 โอห์ม, 100 MHz
ความต้านทานต้นทาง - ส่วนจริง (โอห์ม): 50; ความต้านทานต้นทาง - ส่วนจินตภาพ (โอห์ม): 0; ความต้านทานโหลด - ส่วนจริง (โอห์ม): 75; ความต้านทานโหลด - ส่วนจินตภาพ (โอห์ม): 0; ความถี่ในการทำงาน (MHz): 100
Reactance ของตัวเหนี่ยวนำแบบขนาน (โอห์ม): 61.23724357; Reactance ของตัวเก็บประจุแบบขนาน (โอห์ม): -61.23724357; Reactance ของตัวเหนี่ยวนำแบบอนุกรม (โอห์ม): -61.23724357; Reactance ของตัวเก็บประจุแบบอนุกรม (โอห์ม): 61.23724357; ขนาดความต้านทานโหลด (โอห์ม): 75; ขนาดความต้านทานต้นทาง (โอห์ม): 50; ค่าเหนี่ยวนำแบบขนาน (nH): 97.46 nH; ค่าความจุแบบขนาน (pF): 0.03 pF; ค่าเหนี่ยวนำแบบอนุกรม (nH): -97.46 nH; ค่าความจุแบบอนุกรม (pF): 0.03 pF